功能
半导体封装尺寸越来越小,集成度越来越高,无损高精度定位故障的需求也越来越大。因此,有必要建立一个系统,可以根据不同的故障分析条件轻松地创建*佳分析环境。
TS9000系列TDR方案和TS9001 TDR系统的TDR分析通过利用我们专有的短脉冲信号处理技术进行高分辨率TDR测量(时域反射法),对**半导体封装、电子元件和印刷电路板中的导线故障区域进行快速、高精度和无损分析。
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能够对2.5D_IC和3D_IC进行故障分析
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・故障区域检测的精度(分辨率):<5µm
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・*大测量距离:300mm
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自动TDR测量
通过使用自动探测器的自动触地功能,系统进行**的可重复测量,有助于减少人为错误。
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可进行DUT温度控制(TS9001 + 外部探针连接)
(示例)FormFactor Inc公司的SUMMIT200(高/低温型: -60 °C 至 300 °C)
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可提供多种分析软件
提供故障位置指示器,可显示CAD数据上的故障区域。(可选)
使用太赫兹技术的TDR测量
使用示波器TDR进行故障分析时出现的问题 ⇒ 故障点定位误差大
用于分析的探针信号采用阶梯响应波形图。
从上等和有缺陷的产品中获得的TDR波形图振幅变化的起始点被视为故障点。但是,由于起始点不明确,在定位故障点时存在很大的误差。
通过使用探针信号的脉冲波形图,可以轻松(直观地)在脉冲峰值处确定故障点。
高度集成的LSI封装故障分析
1. 封装接线故障分析
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确定布线故障点位于Si Interposer内还是封装内
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识别故障是由预处理还是后处理中的因素引起的
2. Si Interposer安装(C4 Bump)故障分析
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利用测试回路确定和分析安装Si Interposer的条件
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对测试回路的菊花链结构进行故障点分析,并对安装条件进行反馈。
3. 层压内存安装(TSV、Micro-Bump)故障分析
Small-BGA故障分析
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通过在电路板的通孔、布线和连接线中形成开路故障,进行TDR分析。
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即使在结构复杂的封装中,也能检测来自故障点的反射脉冲
主要分析案例
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用于TSV和其他微小通孔或凸点之间的故障分析
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用于对接触点故障进行温度依赖性分析
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用于分析高电阻故障,其表现为波形图间的微小差异
1
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板
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微带线
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开路
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短路
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传输线
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开路
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短路
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2
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QFP
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连接线
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开路
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短路
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3
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Small-BGA
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连接线
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开路
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板内通孔
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开路
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板内接线
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开路
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4
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FCBGA
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凸点
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开路
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雏菊花环
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开路
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短路
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凸点
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高阻
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靠近凸点(长度:<1mm)
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开路
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